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PZT751T1G中文资料

PZT751T1G图片

PZT751T1G外观图

  • 大小：127.15KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 200mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：75 @ 1A，2V
  • 功率 - 最大：800mW
  • 频率 - 转换：75MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：PZT751T1GOSPZT751T1GOS-NDPZT751T1GOSTR

PZT751T1G供应商

更新时间:2022-12-31 06:03:24
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